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来源:http://www.hbzklxs.com 责任编辑:尊龙人生就是博 更新日期:2018-10-11 20:13

  英国专家用半极性GaN成长高效益LED

  英国雪菲尔大学(Sheffield University)的一支研讨团队最近在《应用物理学快报》(Applied Physics Letter)期刊上发布在半极性氮化镓(GaN)或蓝宝石基材上成长LED的最新效果。

  利用在M-Plane蓝宝石基板上成长的GaN制作的微柱阵列模板,研讨人员能在其上过度成长的半极性GaN(11-22)上成长出具有更高量子效益的LED。

  相较于在C-Plane蓝宝石基板上成长的商用LED,该研讨团队在半极性资料上所成长的绿光LED显现发光波长的蓝位移跟着驱动电流添加而削减。在蓝位移所观察到的状况也适用在黄绿与黄光LED上,因而,研讨人员发现所成长的LED存在一种有用按捺量子而约束星炫的效应。

  

  

分别在5mA、找工作时屡屡被骗武汉大学生创办诚信兼职网站尊龙人生就是博旧版。20mA与100mA时拍照的(a)绿(b)黄绿(C)黄(d)琥珀色LED电致发光图

  研讨人员在晶圆上测得光源输出随电流提高而呈线性添加,而其外部量子功率显现较商用C-Plane LED的功率衰减(efficiency-droop)状况已显着改进了。电致发光偏振丈量显现半极性LED的偏振比约为25%。

  研讨人员宣称,开始的成果显现,过度成长技能是一种更具有潜在本钱效益的办法,环亚娱乐ag88手机版可在较长波长区域中完成高效能的半极性GaN发射器。

  

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